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FDD8586中文资料

FDD8586图片

FDD8586外观图

  • 大小：424.2KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.5 毫欧 @ 35A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2480pF @ 10V
  • 功率 - 最大：77W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDD8586TR

FDD8586供应商

更新时间:2023-01-27 08:47:57
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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